RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Shakhovtsov V I

Publications in Math-Net.Ru

  1. Центры дилатации в облученном электронами кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1928–1931
  2. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1864–1869
  3. О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение параметров кремния под облучением

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1857–1863
  4. Электронные свойства бистабильных дефектов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1795–1799
  5. Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1129–1132
  6. Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1126–1129
  7. Структура ИК поглощения кислорода в германии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1051–1055
  8. Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  993–996
  9. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  374–376
  10. Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  914–916
  11. Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  746–748
  12. Упругие напряжения в Si с электрически пассивными примесями

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  704–706
  13. Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989),  250–252
  14. Подвижность носителей тока в твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  48–51
  15. LIFETIME OF PRIMARY RADIATION DEFECTS IN SILICON

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:6 (1988),  1180–1181
  16. Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2220–2223
  17. Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в $n$-Si

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1149–1151
  18. Влияние германия на внутренние упругие напряжения в кислородосодержащем кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  313–315
  19. Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  285–288
  20. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  215–218
  21. Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  206–209
  22. ANNEALING OF FRENKEL METASTABLE PAIRS IN PARA-GE, IRRADIATED BY ELECTRONS WITH ENERGY OF 0.6-MEV AND 1.2-MEV

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:24 (1988),  2299–2302
  23. Effect of germanium on the properties of the $\mathrm{Si}$–$S1$-center in $\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{Ge}_{x}$ solid solutions

    Fizika Tverdogo Tela, 29:7 (1987),  2217–2220
  24. Recombination in Si after Thermal Treatment and $\gamma$-Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2082–2084
  25. Study of Electronic Structure of Isoelectronic Impurities in Silicon. C, Ge Atoms and Their Complexes with Vacancies

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1837–1841
  26. On the Mechanism of Defect Formation in Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ Alloys under Electron Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  570–573
  27. Characteristic Properties of Radiation-Induced Defect Formation in Crystals Si$\langle$Ge$\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  562–565
  28. Study of vibrational Spectra of Oxygen Absorption in Si$\langle$Ge$\rangle$ Solid Solutions

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2222–2225
  29. Effect of Thermal Annealing and $\gamma$-Irradiation on Resistivity Variation of $n$-Туре Germanium in a Magnetic Field

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2109–2111
  30. Effect of Hardening on the Properties of Shallow Donors in Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1884–1886
  31. Broadening of the Bands of Hydrogen-Like Center Absorption in Silicon with Isovalent Impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1647–1653
  32. Determination of $\Theta_{u}$ Deformation-Potential Shift Constant in Transmutationally Doped Silicon Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1107–1109
  33. Deformation Charges of Isovalent Impurities in Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  270–274
  34. Electron-paramagnetic-res of tensoprobe in silicon doped with $\mathrm{Gd}$

    Fizika Tverdogo Tela, 27:6 (1985),  1824–1829
  35. RADIATION STABILITY OF SILICA MAGNETO-SENSITIVE TRANSISTORS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:6 (1985),  1247–1248
  36. Efficiency of Defect Formation in $n$-Type Si under 1 MeV-Electron Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985),  2202–2204
  37. Electron-paramagnetic-res and spin-lattice relaxation study of donor muffin-tin potential local distortions in $\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{Ge}_{x}$ alloy

    Fizika Tverdogo Tela, 26:11 (1984),  3338–3346
  38. Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2020–2023
  39. Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1490–1492
  40. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1349–1351
  41. Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии и германии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  437–440

  42. Antonina Fedorovna Prikhot'ko (On her eightieth birthday)

    UFN, 149:4 (1986),  733–734

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024