|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
INTERPHASE INTERACTIONS IN THIN-FILM SURFACE-BARRIER PT-GAAS STRUCTURES
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:8 (1992), 88–94
-
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной
поверхностью (область собственного поглощения света)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 487–492
-
DEPENDENCE OF RADIATION-STIMULATED ORDERING EFFECT ON SURFACE
MICRORELIEF
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:23 (1991), 18–21
-
Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики
контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки.
Фотоэмиссионные характеристики
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2113–2117
-
К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 207–212
-
Effect of $\gamma$-Radiation on Surface Generation-Recombination in GaAs-Based Semiconductor Structures
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1640–1646
-
Radiation Ordering on the Metal-InP Interface
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 326–329
-
Effect of Radiation on Radiative and Nonradiative Recombination in Heterosystems Based on GaAs and Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 322–325
-
STRUCTURE-DOPED ORDERING AFFECTED BY LOW-SCALE PENETRATING RADIATION
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:10 (1985), 1977–1982
-
Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного
гетерирования
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1885–1887
-
Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах
($p$-Si)$-$($n$-GaP)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1808–1811
-
To the Determination of Recombination Rate at the Interface of Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs Heterojunctions
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 402–407
-
Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983), 1349–1351
© , 2024