Strokan Nikita Borisovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1962–1970
2. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  477–480
3. RADIATION OF PLANAR DETECTOR STRENGTH BASED ON HIGH-OMHIC SILICON
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:24 (1992),  69–73
4. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:6 (1992),  91–94
5. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  852–858
6. APPLICATION OF RUTHERFORD ION DISPERSION WITH PRECISION RESOLUTION TO THE ANALYSIS OF MULTICOMPONENT FILMS
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:8 (1989),  159–161
7. Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1613–1617
8. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  478–482
9. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1629–1633
10. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1526–1528
11. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1239–1243
12. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1096–1100
13. Contribution of Silicon Recombination Characteristics into Resolution of Detectors of Short-Path Particles
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1883–1887
14. Theory of Semiconductor Compensation by the Method of Ionic Drift of Doping Impurity
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1673–1680
15. Impact Ionization in Sharp $p^{+}{-}n$ Junctions under Dynamic Focusing of an Electric Field by the Track of Strongly Ionizing Particle
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1388–1393
16. Peculiarities of $p^{+}{-}n$-Structure Barrier Capacity in the Injection Mode
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  291–295
17. Potentialities of application of silicon Schottky barriers and planar detectors in spectrometry of low-energy protons
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  565–569
18. RESOLUTION OF THE ALPHA-SPECTRUM SUPER-THIN STRUCTURE BY SILICONE PLANAR DETECTORS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:10 (1986),  1987–1989
19. Process of Concentration Establishment in a Drifting Packet of Excess Carriers Injected into the $p{-}n$-Junction
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1856–1860
20. On the Use of Electrooptical Effect for Studying Space-Charge Region of $p{-}n$ Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1234–1238
21. Temperature Effect on Carrier Trapping by Localized Aggregates of Impurities
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  350–353
22. High-resolution performance of silicon detectors of short-range particles
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:20 (1986),  1254–1258
23. INFLUENCE OF LOCAL CLUSTER ADMIXTURES ON A FORMATION OF THE SPECTRAL-LINE IN SEMICONDUCTING DETECTORS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:7 (1985),  1400–1405
24. LINE-SHAPE AND A RESOLUTION OF EMISSION DETECTORS DURING PULSED CURRENT SPECTROMETRY
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:6 (1985),  1130–1135
25. Trapping of Charge Carriers by Localized Impurity Clusters in an Electric Field of $p{-}n$ Junction
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  70–76
26. Study of Impurity Clusters in Pure Materials Using Shapes of Spectra due to Electron–Positron Pairs Annihilation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  244–249
27. Properties of Submicrometer Layers on Pure Germanium Produced by the Ion-Laser Method
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  62–67
28. Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  143–146
29. Особенности кинетики тока, ограниченного объемным зарядом в $p{-}n$-переходах с электронейтральной базой
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  139–142