Kardo-Sisoev A F

Publications in Math-Net.Ru

1. Initiation of explosive conversions in energy-saturated nanoporous silicon-based compounds with fast semiconductor switches and energy-releasing elements
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:19 (2017),  57–63
2. Влияние накопления неосновных носителей в $p^{+}$-слое на процесс восстановления напряжения на $p^{+}{-}n$-переходе
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1048–1053
3. Ударная ионизация в кремнии в слабых полях
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  885–892
4. Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы в полупроводниковой $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуре
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  3–11
5. HIGH-SPEED DINISTORS MANUFACTURED BY THE WAFER DIRECT BONDING TECHNIQUE
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:19 (1991),  51–54
6. SHOCK IONIZATION OF DEEP LEVEL OF AU IN SI
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  63–67
7. INVERSE VOLTAGE FAST REDUCTION EFFECT ON THE SYMMETRIC P+PNN+-STRUCTURE
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:11 (1988),  2244–2247
8. Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1747–1753
9. Nonstationary Processes of Electron-Hole Plasma Accumulation and Dispersal in Semiconductors in High Electric Fields
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  620–625
10. Formation of high-voltage differential pressure of picosecond range on arsenide-gallium diodes
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:18 (1987),  1089–1093
11. Fast Ionization Waves in a Semiconductor Related with Superradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1335–1337
12. Electrically controlled trielectrode high-voltage switches of the subnanosecond range based on the $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ multilayered heterostructure
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:21 (1986),  1281–1285
13. Semiconductor powerful subnanosecond commutators with more time retentivity under conducting conditions
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:15 (1985),  901–904
14. Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных $p{-}n$-переходах
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1380–1385
15. Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:7 (1983),  435–439