|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых
транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:9 (1992), 1574–1579
-
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо
легированного полупроводника в области пространственного заряда
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992), 1024–1027
-
Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных
резонансно-туннельных диодов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:5 (1992), 896–899
-
Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики
гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991), 776–782
-
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах
на гетероструктурах с селективным легированием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990), 1187–1189
-
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре
металл$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с селективным легированием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 521–526
-
RESONANCE TUNNELING IN 2-BARRIER STRUCTURE DIODES ON SEMI-INSULATING
SUBSTRATE
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:20 (1990), 76–78
-
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной
потенциальной яме
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988), 2090–2092
-
Hot Electrons in Heterostructures with Selective Doping (Review)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987), 1353–1363
-
Electron Transfer in Heterostructures with Selective Doping in High Electric Fields
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 881–885
-
Two-Dimensional Electron Gas in the Metal-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs Structure with Selective Doping
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 468–471
-
Negative Differential Conduction of In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As$-$InP-Based Heterostructures
with Selective Doping
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985), 2228–2231
-
Special Features of Electron Transfer
in Heterostructures with Selective
Doping
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1147–1150
-
Characteristics of а Неterojunction in a Heterostructure with Selective Doping
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1025–1029
-
Вольтамперная характеристика барьера Шоттки с гетеропереходом
в области пространственного заряда
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1901–1904
-
ANALYTIC THEORY OF STATIC DOMAIN NEAR-FIELD TRANSISTOR SHUTTERS
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:3 (1983), 592–594
-
PHYSICAL PRINCIPLES OF GANNS SHORT DIODE OPERATIONS WITH A 2-ZONED
CATHODE
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:1 (1983), 203–206
-
Динамическая отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур
с селективным легированием
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:8 (1983), 460–464
© , 2024