Zubrilov A S

Publications in Math-Net.Ru

1. On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  116–123
2. On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  711–716
3. Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при $\gamma$-облучении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1332–1338
4. Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  479–486
5. Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  607–611
6. AVALANCHE BREAKDOWN UNDER HIGH-CURRENT DENSITIES
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:9 (1987),  1843–1845
7. Effect of Radiation-Induced Defects on Current-Voltage Characteristic of Silicon Multilayer Structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  532–534
8. Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  474–478