RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Masterov Vadim Fedorovich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Crystalline electric field gradient tensor parameters for copper sites in $\mathrm{YBa}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7-x}$

    Fizika Tverdogo Tela, 34:7 (1992),  2294–2297
  2. Parameters of the electric field gradient tensor at copper sites of the $\mathrm{La}_{2-x}\mathrm{Sr}_{x}\mathrm{CuO}_{4}$ lattice

    Fizika Tverdogo Tela, 34:4 (1992),  1313–1316
  3. Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1878–1885
  4. Примесный центр с частично заполненной $d$-оболочкой в бинарном полупроводнике

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1866–1877
  5. Структура примесного центра марганца в антимониде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  89–94
  6. REGISTRATION OF PHASE-TRANSITIONS IN HTSC THROUGH MICROWAVE RADIO PULSES

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:23 (1992),  18–21
  7. STUDY OF JOSEPHSON JUNCTION IN WEAKLY-BONDED HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS THROUGH UHF-SCANNER

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:11 (1992),  31–34
  8. Positron annihilation in defected $\mathrm{Ga}_{2}\mathrm{S}_{3}(\mathrm{Se}_{3})$, crystals doped by transition and RE elements

    Fizika Tverdogo Tela, 33:12 (1991),  3479–3483
  9. Comparison of experimental and calculated electric field gradient tensor parameters for impurity iron atoms in copper oxide

    Fizika Tverdogo Tela, 33:9 (1991),  2699–2704
  10. Parameters of the electric field gradient tensor at the copper and barium sites of the $\mathrm{La}_{1.9}\mathrm{Ba}_{0.1}\mathrm{CuO}_{4}$ lattice determined by emission Mossbauer spectroscopy

    Fizika Tverdogo Tela, 33:6 (1991),  1912–1915
  11. Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  2042–2044
  12. Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  2024–2027
  13. О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия $p$-типа проводимости

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991),  1589–1592
  14. ЭПР аксиального центра иттербия в InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1375–1380
  15. Структура волновых функций примесных центров переходных элементов в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  203–207
  16. Модель бинарного полупроводника на основе самосогласованного метода непрерывных дробей

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  185–190
  17. Electric field gradient tensor parameters for barium sites in $\mathrm{YBa}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7-x}$ determined by Mossbauer spectroscopy

    Fizika Tverdogo Tela, 32:11 (1990),  3430–3433
  18. Copper centers in the semiconducting and superconducting phases of $\mathrm{YBa}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7-x}$

    Fizika Tverdogo Tela, 32:10 (1990),  3150–3154
  19. Determination of electric field gradient tensor parameters at copper sites in $\mathrm{Bi}_{2}\mathrm{Sr}_{2}\mathrm{CaCu}_{2}\mathrm{O}_{7}$ and $\mathrm{YBa}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7}$ by Mossbauer spectroscopy

    Fizika Tverdogo Tela, 32:8 (1990),  2306–2310
  20. Фотолюминесценция Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с локальным уровнем Mn$^{+}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2160–2166
  21. Редкоземельные элементы в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (Обзор)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  610–630
  22. Macroscopic quantum effects in the $\mathrm{Y}_{1}\mathrm{Ba}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7-\delta}$ superconductor

    Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989),  112–115
  23. Behavior of $\mathrm{Y}$$\mathrm{Ba}$$\mathrm{Cu}$$\mathrm{O}$ ceramics in the $80$$300$ K range

    Fizika Tverdogo Tela, 31:8 (1989),  221–228
  24. Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$ и InP$\langle\text{Er}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2229–2231
  25. О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1496–1499
  26. О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$ по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1307–1309
  27. ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1305–1307
  28. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  804–808
  29. CHARACTERISTICS OF THE METAL-SEMICONDUCTOR-SUPERCONDUCTOR-SEMICONDUCTOR-METAL STRUCTURE

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:15 (1989),  57–60
  30. Photodarkening and photoinduced paramagnetism in film and bulk specimens of vitreous $\mathrm{As}_{2}\mathrm{S}_{3}$

    Fizika Tverdogo Tela, 30:5 (1988),  1500–1502
  31. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1253–1257
  32. ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  654–656
  33. О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  118–122
  34. OBSERVATION OF THE NONSTATIONARY JOSEPHSON EFFECT IN LONG Y1BA2CU3O7 CERAMICS BRIDGES

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:18 (1988),  1683–1686
  35. 3RD HARMONICS GENERATION IN UHF-RANGE OF SUPERCONDUCTING CERAMICS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:16 (1988),  1501–1504
  36. QUANTUM-PROPERTIES OF THE ELECTROMAGNETIC EFFECT IN Y-BA-CU-O(1-2-3)-TYPE CERAMICS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:14 (1988),  1277–1280
  37. Electron-spin-resonance of photoinduced paramagnetic centers in $\mathrm{As}$$\mathrm{P}$$\mathrm{S}$ and $\mathrm{Ge}$$\mathrm{Tl}$$\mathrm{S}$ chalcogenide glassy semiconductors

    Fizika Tverdogo Tela, 29:3 (1987),  881–884
  38. Electric Properties of Europium-Doped Indium-Phosphide Epitaxial Layers

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1727–1730
  39. Galvanomagnetic Effects in InP$\langle$Yb$\rangle$ Epitaxial Layers

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  489–493
  40. Electron Paramagnetic Resonance of Er$^{3+}$ in Indium Phosphide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  365–366
  41. On the Effect of Lanthanides on Electric Properties of Three-Dimensional InP Single Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  347–349
  42. High-Resolution Optical Spectra of Iron-Doped Indium-Phosphide Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1524–1527
  43. ESR and Spin-Lattice Relaxation of a Ionized Manganese Center in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  543–545
  44. ESR Identification of Mn–S Pair in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2093–2095
  45. «Spin Glass»-Type States in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1867–1869
  46. ESR of Europium-Doped Indium Phosphide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1841–1843
  47. Photo-ESR in Glass-Like Semiconductors of the Phosphorus–Sulphur System

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1657–1659
  48. Properties of Oxygen- and Chromium-Doped Indium Phosphide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1161–1162
  49. ESR and Paramagnetic Relaxation of Fe($3d^{8}$) Interstitial Center in GaP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  632–635
  50. Tunnel Effects in Charge Exchange of Deep Centers in Semiconductors

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  460–463
  51. Photoinduced ESR in the P$-$Se System

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  312–314
  52. Photoinduced paramagnetic resonance study of photostructural transformations in $\mathrm{As}_{2}\mathrm{S}_{3}$ films

    Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984),  172–178
  53. Электронная структура переходных элементов в фосфиде индия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2092–2094
  54. ESR of Mn$-$Se Trigonal Complex in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  755–757
  55. Deep Centers in Semiconductors. Review

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  3–23
  56. $\mathrm{Yb}^{3+}$ paramagnetic resonance and relaxation in $\mathrm{InP}$

    Fizika Tverdogo Tela, 25:5 (1983),  1435–1438
  57. Electron and nuclear magnetic relaxation in $\mathrm{InP}$ crystals doped with $\mathrm{Mn}$

    Fizika Tverdogo Tela, 25:4 (1983),  1130–1134
  58. Intrinsic paramagnetic centers and photo-structural transformations in $\mathrm{As}_{2}\mathrm{S}_{3}$ films

    Fizika Tverdogo Tela, 25:1 (1983),  287–289
  59. Оптическое поглощение в кристаллах InP$\langle\text{V}\rangle$, InP$\langle\text{Сr}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2203–2205
  60. Электролюминесценция фосфида индия, легированного иттербием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1879–1880
  61. Аналитическое решение проблемы глубокого центра методом непрерывных дробей

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1823–1829
  62. Исследование дефектов структуры в системе GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1259–1264
  63. О природе линии ЭПР с ${g=2.133}$ в кристаллах GaP$\langle\text{Fe}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1130–1132
  64. ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  948–950

  65. Исправление опечатки

    UFN, 160:7 (1990),  169
  66. What we can learn from “The Myths of Relativity Theory”

    UFN, 160:4 (1990),  97–101


© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024