Shtel'makh Konstantin Fedorovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Effect of additional implantation with oxygen ions on the dislocation-related luminescence in silicon-containing oxygen precipitates
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  928–931
2. Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  580–584
3. Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1182–1184
4. Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions
   
   Fizika Tverdogo Tela, 58:12 (2016),  2411–2414
5. Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated $p$-Si
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  254–258
6. Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  241–244
7. Структура примесного центра марганца в антимониде галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  89–94
8. ЭПР аксиального центра иттербия в InP
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1375–1380
9. О состоянии европия в фосфиде индия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1584–1588
10. Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия, легированного европием
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1482–1485
11. Macroscopic quantum effects in the $\mathrm{Y}_{1}\mathrm{Ba}_{2}\mathrm{Cu}_{3}\mathrm{O}_{7-\delta}$ superconductor
    
    Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989),  112–115
12. Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$ и InP$\langle\text{Er}\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2229–2231
13. О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$ по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1307–1309
14. ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1305–1307
15. ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  654–656
16. QUANTUM-PROPERTIES OF THE ELECTROMAGNETIC EFFECT IN Y-BA-CU-O(1-2-3)-TYPE CERAMICS
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:14 (1988),  1277–1280
17. Electron Paramagnetic Resonance of Er$^{3+}$ in Indium Phosphide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  365–366
18. ESR and Spin-Lattice Relaxation of a Ionized Manganese Center in Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  543–545
19. ESR Identification of Mn–S Pair in Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2093–2095
20. «Spin Glass»-Type States in Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1867–1869
21. ESR of Europium-Doped Indium Phosphide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1841–1843
22. ESR and Paramagnetic Relaxation of Fe($3d^{8}$) Interstitial Center in GaP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  632–635
23. ESR of Mn$-$Se Trigonal Complex in Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  755–757
24. $\mathrm{Yb}^{3+}$ paramagnetic resonance and relaxation in $\mathrm{InP}$
    
    Fizika Tverdogo Tela, 25:5 (1983),  1435–1438
25. О состоянии центров никеля в GaP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2205–2208
26. Исследование дефектов структуры в системе GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1259–1264
27. ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  948–950