Glinchuk K D

Publications in Math-Net.Ru

1. Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  82–87
2. Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1685–1689
3. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1363–1366
4. Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  657–661
5. ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ eV Luminescence Band in $p$-Type GaAs Stimulated by Radiationally-Thermal Effect
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1659–1663
6. Effect of Fast-Electron Irradiation on the Luminescence of $p$-Type GaAs (Si) Heavily Doped and Compensated Layers
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1874–1877
7. Interaction of Radiation-Induced Defects with Chromium Atoms in Gallium Arsenide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  567–569
8. Variation of Maximum Position and Half width of Luminescence Band due to Radiative Recombination in $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ Complexes under Electron Irradiation of GaAs
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1326–1328
9. Increase of Concentration of Luminescence-Quenching Centers under the Annealing of Electron-Irradiated Gallium-Arsenide Crystals
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1163–1164
10. Effect of Carbon on Minority-Carrier Lifetimes in Thermally Treated Oxygen-Containing Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  770–771
11. On the Effect of Thermal Treatment on Lifetime of Minority Charge Carriers in Oxygen-Containing Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  341–343
12. Decrease of Thermal Stability of $V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$ in GaAs under Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  736–739
13. Изменение внутренней квантовой эффективности излучения, обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных электронами кристаллов GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  751–753
14. Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при отжиге облученных кристаллов GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  164–166