RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Mezdrogina Margarita Mikhailovna

Publications in Math-Net.Ru

  1. LED structures based on ZnO films obtained by RF magnetron sputtering for the UV spectral range

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:3 (2020),  456–461
  2. Parameters of ZnO semiconductor films doped with Mn and Fe 3$d$ impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  18–21
  3. Growth and structural, magnetic, and magnetooptical properties of ZnO films doped with a Fe$^{57}$ 3$d$ impurity

    Fizika Tverdogo Tela, 60:3 (2018),  596–602
  4. Influence of silver and gold nanoparticles and thin layers on charge carrier generation in InGaN/GaN multiple quantum well structures and crystalline zinc oxide films

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 88:4 (2018),  566–571
  5. Formation of luminescence spectra and emission intensity in the UV and visible spectral regions for $n$-ZnO/$p$-GaN and $n$-ZnO/$p$-ZnO structures when depositing ZnO films by high-frequency magnetron sputtering

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1115–1119
  6. Parameters of ZnO films with $p$-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  588–593
  7. UV and IR emission intensity in ZnO films, nanorods, and bulk single crystals doped with Er and additionally introduced impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1325–1332
  8. PARAMETERS OF PHOTOTRANSDUCERS BASED ON FILMS OF AMORPHOUS HYDRATED SILICONE OBTAINED IN THE TETRODE SYSTEM

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:1 (1992),  108–112
  9. Структурная сетка $\alpha$-Si : H, легированного бором, и транспорт дырок

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:5 (1992),  960–962
  10. Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  66–70
  11. Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1448–1450
  12. Удельные сдвиги носителей тока и плотность состояний аморфного гидрированного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  551–553
  13. Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния методом видикона

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  170–171
  14. Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  102–105
  15. Mechanism of the anomalous spectral behavior of optical absorption in amorphous silicon

    Fizika Tverdogo Tela, 32:5 (1990),  1515–1517
  16. Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1190–1193
  17. PHOTOSENSITIVITY OF P-I-N-STRUCTURES AND STRUCTURES WITH SCHOTTKY-BARRIER BASED ON A-SI-H IN THE UV EMISSION DOMAIN

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:1 (1990),  47–50
  18. Эффект псевдолегирования аморфного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1737–1740
  19. Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1552–1555
  20. Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  450–455
  21. TARGETS OF VIDICON BASED ON AMORPHOUS HYDROGENATED SILICONE

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:4 (1989),  85–87
  22. Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1856–1859
  23. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  461–464
  24. Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  161–164
  25. On the Doping of Amorphous Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1464–1466
  26. Mossbauer study of the iron impurity atoms in amorphous silicon

    Fizika Tverdogo Tela, 28:8 (1986),  2543–2546
  27. State Density of Hydrogenated Amorphous Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1912–1914
  28. Influence of the temperature anneal on characteristics of solar elements with Schottky-barrier based on the amorphous hydrogenated silicon

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:1 (1985),  28–31
  29. Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1897–1899
  30. On the Nature of Dark Currents in the Structures with Schottky Barriers Hydrogenated Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  373–376
  31. О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1255–1258

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024