Makhniy V P

Publications in Math-Net.Ru

1. Luminescence of (ZnSe:Al):Yb сrystals at 4.2 K
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  329–331
2. Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1140–1141
3. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов сульфид$-$теллурид кадмия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  217–221
4. SEMICONDUCTING EMITTER WITH HIGH-TEMPERATURE STABILITY
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:3 (1991),  17–21
5. SOLAR-BLIND PHOTODIODES BASED ON ITO-ZNS HETEROSTRUCTURE
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:9 (1990),  146–147
6. Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1852–1855
7. Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1651–1656
8. PROPERTIES OF THE SCINTILLATOR-PHOTODIODE SYSTEM BASED ON THE SELENIDE ZINC TELLURIDE STRUCTURE
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:8 (1988),  702–705
9. Tunneling in Gallium-Phosphide Schottky Diodes
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2087–2090
10. Radiative Recombination on Donor-Acceptor Pairs in the Space-Charge Region of Au-ZnS Diodes
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  619–624
11. Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1285–1287