Koldaev I M

Publications in Math-Net.Ru

1. Аккумуляция в $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах на основе A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ при различных длинах волн фотовозбуждения
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1505–1507
2. Photosensitivity of the Structure with Long Base and Near-to-Surface Potential Junction Based on CdS Single Crystals in the Fundamental-Absorption Range
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  730–732
3. Сублинейность вольтамперных характеристик планарных $n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах CdSe и ZnSe при фотовозбуждении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1678–1681
4. Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе монокристаллов CdS к поляризованному излучению
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1316–1318
5. PHOTODETECTORS WITH INJECTION AMPLIFICATION FOR ULTRAVIOLET REGIONS
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984),  853–856