Kuchinsky Petr Vasilyvich

Publications in Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  448–452
2. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  73–76
3. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  731–735
4. Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в $p$-кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1625–1628
5. О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  634–637
6. Capacity Spectroscopy of Minority-Carrier Radiation Traps in $n$-Type Silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1471–1473
7. Origination and Thermal Stability of Radiation-Induced Defects in $p$-Type Silicon Irradiated by Alpha-Particles
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1055–1059
8. Injection Annealing of Radiation-Induced Defects in $p$-Typc Silicon in an Electric Field at ${78\div330}$ K
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  740–742
9. On the Possibility of Defect Identification in Semiconductors
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  532–534
10. Effect of the strong electric-field on the velocity of introduction and space propagation of radiation defects in silicon
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:5 (1985),  309–311
11. DEFECT DISTRIBUTION DURING SILICON IRRADIATION BY ALPHA-PARTICLE UNCOLLIMATED BEAM
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984),  2066–2068