|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
CHARACTERISTICS OF RADIATION DEFECTS ANNEALING IN NEUTRON-ALLOYED
SILICON
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:24 (1992), 44–48
-
Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных
центров в кремнии при электронном облучении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 523–528
-
PARAMETERS OF NEW GOLD CENTER AND THEIR EFFECT ON CHARACTERISTICS OF
SILICON DIODES
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:24 (1991), 77–81
-
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный
профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1686–1689
-
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1177–1180
-
DLTS Study of the Parameters of Rhenium Levels in Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987), 1404–1407
-
Study of Laser Effect on the Properties Gold-Doped Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 747–749
-
Ionization-Induced Mechanism of Impurity Migration in Ion-Implanted Semiconductors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985), 300–302
-
Effect of Ionizing Radiation on the Decomposition of Solid Solutions
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 915–918
© , 2024