|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида
индия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:9 (1992), 1612–1624
-
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991), 1639–1645
-
Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 283–286
-
Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых
растворов GaInSbAs : Mn
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 276–282
-
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1072–1078
-
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 98–103
-
Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль
в рассеянии дырок в $p$-GaSb
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989), 780–786
-
Эффект Холла в $p$-GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988), 1387–1390
-
Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне
перехода металл–диэлектрик
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1230–1232
-
Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи
перехода металл–диэлектрик
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1129–1131
-
Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных
редкоземельными элементами
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 147–150
-
Change of concentration of natural acceptors in $Ga\,Sb$
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:18 (1987), 1103–1108
-
Study of Interelectron-Interaction Quantum Effects in Doped A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Crystals
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1025–1029
-
Negative Magnetoresistance and Electron Localization in Semiconductors with a Simple Isotropic Band in the Region of Metal–Dielectric Transition
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 752–753
-
Hopping Conduction and Topology
of Conducting Impurity Net in the
Crystals with Insulating Inclusions
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985), 1507–1509
-
Mobility of Excess Electrons in $p$-Type GaAs Crystals
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 118–122
-
Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа
со скоплениями акцепторов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1624–1628
-
Пространственное распределение электрически активных центров
в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1593–1596
-
On the Maqui–Thompson Correction in Doped Semiconductors with Coulomb Interaction of Electrons
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984), 743–745
-
Anomaleous Magnetoresistance in $p$-Type A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Crystals at Low
Temperatures
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984), 731–734
-
INCREASED ACCUMULATIONS OF COMPENSATING CENTERS IN SEMICONDUCTORS BY
GAMMA-RAYS
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984), 860–862
-
Экспериментальная проверка теории отрицательного
магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой
к проводимости
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1841–1844
© , 2024