Akimchenko I P

Publications in Math-Net.Ru

1. Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1355–1360
2. Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1857–1861
3. Особенности разупорядочения GaAs при ионной имплантации азота
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1093–1095
4. Photoelectric and Optical Properties of $a$-Si : H Films with Phosphorus and Boron Implanted Ions
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  818–821
5. Effect of Ion Implantation of Nickel on Optical Absorption and Edge Photoluminescence of $a$-Si : H
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1441–1446
6. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2138–2141
7. Anisotropy of hole drift mobility in $\mathrm{GeS}$ single crystal
   
   Fizika Tverdogo Tela, 25:9 (1983),  2631–2635


8. О XX Международной конференции по физике полупроводников
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991),  1263–1273