RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Kolkovskii I I

Publications in Math-Net.Ru

  1. Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  176–180
  2. Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного $n$-Si

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  885–887
  3. Characteristic Properties of the Annealing of Recombination Centers in Neutron-Doped Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  1974–1977
  4. Recombination Properties of Radiation-Induced Defects in Transniutationally Doped Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  964–967


© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024