RUS
ENG
Full version
PEOPLE
Kolkovskii I I
Publications in Math-Net.Ru
Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
,
26
:1 (1992),
176–180
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного
$n$
-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
,
23
:5 (1989),
885–887
Characteristic Properties of the Annealing of Recombination Centers in Neutron-Doped Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
,
21
:11 (1987),
1974–1977
Recombination Properties of Radiation-Induced Defects in Transniutationally Doped Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
,
20
:5 (1986),
964–967
©
Steklov Math. Inst. of RAS
, 2024