Stepanova M N

Publications in Math-Net.Ru

1. Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992),  710–718
2. Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1689–1691
3. Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1058–1065
4. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  897–899
5. Formation of high-voltage differential pressure of picosecond range on arsenide-gallium diodes
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:18 (1987),  1089–1093
6. Mobility of Excess Electrons in $p$-Type GaAs Crystals
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  118–122
7. ARSENIDEGALLIUM FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH CONTROLLING P-N TRANSIENTS
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:4 (1984),  859–862
8. Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2029–2035
9. Electron-Probe Study of Deep Centers in Undoped GaAs
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  383–385
10. ELEMENT OF OPTICAL MEMORY AND OPTICAL AMPLIFIER, OPERATING BY MEANS OF THE FRANCE-KELDYSH EFFECT
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:8 (1984),  472–475
11. Electron spin relaxation in moderately doped $\mathrm{GaAs}$ crystals
    
    Fizika Tverdogo Tela, 25:12 (1983),  3537–3542
12. Оптическая бистабильность за счет эффекта Франца–Келдыша при работе с некогерентным неполяризованным светом
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:10 (1983),  604–609