Publications in Math-Net.Ru
-
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaAs, легированных Sn или Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 456–460
-
Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев
в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1792–1795
-
Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1203–1207
-
New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987), 385–388
-
Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1588–1593
-
Parastatistics and gauge symmetries
TMF, 53:2 (1982), 283–295
© , 2024