Popov I V

Publications in Math-Net.Ru

1. Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  647–652
2. Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1813–1818
3. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  647–651
4. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1574–1579
5. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  298–300
6. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  133–136
7. Formation of $Si\,C$ epitaxial R-P-structures of sublayers, obtained from volume $Si\,C$ crystals
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:19 (1987),  1168–1171
8. Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1654–1657
9. Study of Current-Voltage Characteristics of Diode Structures Based on Silicon Carbide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  844–848
10. Reactive ion-plasma beam etching of silicon-carbide
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:4 (1986),  240–243
11. Tunnel-diode based on $Si\,C$
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:16 (1985),  976–978
12. Silicon-carbide light-emitting-diodes in the blueviolet spectrum area
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  246–248
13. Silicon-carbide R-P-structures produced by liquid epitaxy
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  238–241
14. RECTIFIER DIODE BASED ON SILICON-CARBIDE
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1053–1056
15. Remark on the note, “On a question of Prof. V. N. Deputatov”
    
    Uspekhi Mat. Nauk, 8:3(55) (1953),  151
16. On a question of Prof. V. N. Deputatov
    
    Uspekhi Mat. Nauk, 6:4(44) (1951),  170–171