RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Yafyasov Adil Malikovich

Publications in Math-Net.Ru

  1. New mechanism of semiconductor polarization at the interface with an organic insulator

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:2 (2017),  202–204
  2. Resonance scattering across the superlattice barrier and the dimensional quantization

    Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 7:5 (2016),  816–834
  3. A distinguished mathematical physicist Boris S. Pavlov

    Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 7:5 (2016),  782–788
  4. Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich

    Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2:4 (2011),  32–50
  5. Resonance one-body scattering on a junction

    Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 1:1 (2010),  108–147
  6. Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992),  636–643
  7. Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te в системе полупроводник$-$электролит

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1339–1343
  8. Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых полупроводников (CdHg)Te

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  748–750
  9. Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  156–159
  10. Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990),  875–878
  11. Field Effect on a Gapless Semiconductor

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1144–1147
  12. Study of Electron-State Density in Allowed Bands on (CdHg)Te Surface

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  633–637
  13. Determination of State Densities in Allowed Bands of Indium Antimonide and Lead Sulphide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  954–957
  14. Characteristics of Si$-$SiO$_2$ Interface and Surface Hole Mobility in the Inversion Layer

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  393–397
  15. Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  818–823


© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024