Georgobiani Anatolii Neofitovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  390–393
2. Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2146–2150
3. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1110–1112
4. Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  936–938
5. Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  780–783
6. Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  3–15
7. Effect of Sample Temperature on Light Scattering by Impurity Accumulations in Indium Phosphide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2125–2129
8. Optical properties of $\mathrm{HgGa}_{2}\mathrm{Se}_{4}$ near the fundamental absorption edge
   
   Fizika Tverdogo Tela, 28:4 (1986),  1179–1180
9. Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2131
10. Temperature Dependence of Absorption Edge in CdGa$_{2}$Se$_{4}$ and CdIn$_{2}$Se$_{4}$ Compounds
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1914–1916
11. Effect of Annealing and Implantation of Selenium Ions on Photocondttction and Luminescence Spectra of HgGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1116–1118
12. Photoconduction of Indium Phosphide due to P$_{\text{In}}$ Anti-Structural Defect
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1310–1312
13. Aggregate of Electrically Active Impurities in Indium-Phosphide Single Crystals
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  810–813
14. A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ Wide-Band Semiconductors: Optical and Photoelectric Properties and Prospects of Application (Review
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  193–212
15. Properties of $p{-}n$ Junction Produced by Magnesiu-Ion Implantation into InP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  160–161
16. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1812–1815
17. Electroluminescent Characteristics of a ZnSe-Based Light Diode
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  408–411
18. RECORDING OF ELECTRON SOUNDS ON MONOCRYSTALS CADMIUM SULFIDES
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:7 (1984),  392–394
19. Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2177–2179
20. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1524–1525
21. Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  593–598
22. Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  316–318
23. Investigation of the refractive index profiles of multilayer Ga_1–xAl_xAs laser heterostructures
    
    Kvantovaya Elektronika, 10:2 (1983),  426–427
24. Investigation of some photoelectric and luminescence properties of γ -La₂S₃ single crystals
    
    Kvantovaya Elektronika, 9:7 (1982),  1515–1517
25. Investigation of the parameters of laser radiation modulators utilizing the Franz-Keldysh effect
    
    Kvantovaya Elektronika, 7:3 (1980),  624–626
26. Electron-beam-excited ultraviolet semiconductor laser
    
    Kvantovaya Elektronika, 6:9 (1979),  2045–2046
27. Continuous tuning of the emission frequency of electronbeam- pumped lasers
    
    Kvantovaya Elektronika, 2:10 (1975),  2231–2237
28. Wide-band II–VI semiconductors and the prospects of their application
    
    UFN, 113:1 (1974),  129–155


29. Mikhail Dmitrievich Galanin (7.02.1915 — 3.05.2008)
    
    Kvantovaya Elektronika, 38:6 (2008),  612
30. In memory of Mikhail Dmitrievich Galanin
    
    UFN, 178:11 (2008),  1237–1238