RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Emtsev Vadim Valentinovich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1188
  2. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  45
  3. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1578
  4. Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  804–811
  5. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1632–1646
  6. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1313–1319
  7. Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:21 (2016),  39–46
  8. The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:13 (2016),  80–86
  9. Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  574–577
  10. Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  22–44
  11. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003
  12. Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si от интенсивности электронного облучения

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  561–564
  13. Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  191–196
  14. Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  45–49
  15. DEVELOPMENT OF DEFECTS IN Y1BA2CU3O7-X MONOCRYSTALLINE FILMS UNDER NEAR-THRESHOLD AND ABOVE-THRESHOLD IRRADIATIONS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:20 (1991),  84–88
  16. Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1209–1212
  17. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  374–376
  18. Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity

    Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989),  306–308
  19. Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2221–2223
  20. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  425–428
  21. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  184–185
  22. Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1483–1486
  23. Основные характеристики пары Френкеля в германии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  924–926
  24. Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа при низкотемпературном гамма-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  747–750
  25. Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  502–504
  26. Interaction of Eigen Point Defects with Impurity Phosphorus Atoms in $n$-Type Silicon under Electron (Pulsed) Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2106–2109
  27. Equilibrium Level of Vacancy Filling in Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1888–1892
  28. Lifetime of Free Vacancies and Eigen Interstitial Atoms in n-Type Germanium under Electron and Gamma Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1826–1831
  29. Effect of Thermal Treatment on Rearrangement of Oxygen-Containing Defects in Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1283–1288
  30. Energy Spectrum and Processes of Migration of Frenkel-Pair Components in Germanium

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  145–149
  31. Ionization-Induced Annealing of Frenkel Pairs in Germanium and Silicon under Electron and Gamma Irradiation at Helium Temperatures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  840–843
  32. Annihilation Gamma-Quanta Angular-Distribution Anisotropy due to Radiation-Induced Defects in Neutron-Irradiated Germanium

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  552–555
  33. Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  164–167
  34. Donor group bounding into electrically nonactive complexes during electron P-germanium with the 1-MeV energy

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:23 (1986),  1461–1464
  35. Difference between the Processes of Defect Formation under $\gamma$-Irradiation in $p$-Type Silicon at 6.5 and 78 К

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  296–299
  36. Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1516–1519
  37. Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1505–1508
  38. POINT-DEFECTS, OCCURRING IN SILICON WITH BORON, GALLIUM AND INDIUM ADMIXTURES DURING LOW-TEMPERATURE GAMMA-IRRADIATION

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1063–1065
  39. О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1985–1990
  40. Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии $n$-типа

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  724–725
  41. Об энергетическом спектре вакансии в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  350–352
  42. Процессы дефектообразования в Ge$\langle\text{Hg}\rangle$ при гамма-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  173–176
  43. Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  52–56
  44. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  35–39

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024