RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Novikov S V

Publications in Math-Net.Ru

  1. Representation of the $\beta$-function and anomalous dimensions by nonsingular integrals: Proof of the main relation

    TMF, 175:3 (2013),  325–336
  2. Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992),  1375–1382
  3. USE OF ELECTROLIQUID EPITAXY FOR THE GROWING VOLUME CRYSTALS AND SIMULTANEOUS PREPARATION OF LAYERS ON SEVERAL SUBSTRATES

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:3 (1991),  74–79
  4. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:10 (1991),  1758–1764
  5. Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1472–1475
  6. TENSE LAYERS AND CAF2-SRF2 SUPERLATTICES ON SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:21 (1991),  28–32
  7. Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2217–2219
  8. Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для полевого транзистора

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1145–1147
  9. Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1026–1030
  10. Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  653–659
  11. COMPOSITION AND STOCHIOMETRY OF GAAS SURFACE OBTAINED DURING LIQUID-PHASE EPITAXY UNDER ISOVALENT ALLOYING

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:19 (1990),  59–61
  12. ALINAS/INGAAS STRUCTURES WITH 2 MEGA-HERTZ, PREPARED BY THE LIQUID EPITAXY METHOD

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:5 (1990),  50–53
  13. Molecular beam epitaxy and determination of elastic deformation in $\mathrm{CaF}_{2}$ and $\mathrm{SrF}_{2}$ layers on $\mathrm{GaAs}$ $(111)$ by photoluminescence

    Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989),  214–219
  14. Photoluminescence study of elastic strain in epitaxial layers of $\mathrm{CaF}_{2}/\mathrm{Si}(111)$

    Fizika Tverdogo Tela, 31:2 (1989),  75–79
  15. DOUBLE ISOVALENT ALLOYING OF GALLIUM-ARSENIDE BY BISMUTH AND INDIUM

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:8 (1989),  164–167
  16. Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1699–1701
  17. TWO-DIMENSIONAL ELECTRONIC GAS STRUCTURES IN THE INP/INGAAS SYSTEM OBTAINED BY THE LPE (LIQUID PHASE EPITAXY) TECHNIQUE

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:11 (1989),  73–77
  18. Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  1948–1954
  19. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  342–344
  20. FEATURES OF THE SURFACE OF GALLIUM-ARSENIDE, GROWN FROM BISMUTH SOLUTION-FUSION

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1794–1799
  21. Mechanism of «Purification» of Gallium Arsenide by Bismuth

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2201–2209
  22. Effect of Isovalent Bismuth Doping on Shallow-Acceptor Concentration in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  949–952
  23. Oscillations of intensity of fast electron-diffraction on the reflaction under the molecular-ray epitaxy of $Ca\,F_2/Si$ (111)

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:23 (1987),  1442–1446
  24. Photoluminescence of germanium-alloyed and bismuth-alloyed $Ga\,As$

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:20 (1987),  1264–1267
  25. Molecular-beam epitaxy of $Ca\,F_2$ layers on $Si$ (III) and the measurement of its deformation based on spectra of an impure surface

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:16 (1987),  961–966
  26. Solid-solution in the indium phosphide–indium antimonide system

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:3 (1987),  188–191
  27. Equilibrium electro-liquid $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$ epitaxy

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  230–233
  28. Electro-liquid epitaxy of the 4-component $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$ solid-solution

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  224–226
  29. ELECTRO-LIQUID EPITAXY OF INAS1-XSBX SOLID-SOLUTIONS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:11 (1984),  2233–2237
  30. ANALYSIS OF ADMIXTURE DISTRIBUTION UNDER EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984),  2011–2015
  31. STRUCTURE CONTROL IN THE ELECTROLIQUID EPITAXY METHOD

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:7 (1984),  1394–1399
  32. Электрожидкостная эпитаксия InAs

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:16 (1983),  961–964
  33. Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:11 (1983),  662–666
  34. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:3 (1983),  155–158

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024