Sukhanov Vladislav Liver'evich

Publications in Math-Net.Ru

1. Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range
   
   Kvantovaya Elektronika, 42:10 (2012),  943–948
2. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1004–1007
3. Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991),  1613–1617
4. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  644–654
5. TUNNEL EFFECTS IN QUANTUM-DIMENSIONAL SILICON TRANSISTOR
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:2 (1991),  42–46
6. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1563–1573
7. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1557–1562
8. Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом цилиндрической формы
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  485–487
9. Распределение радиационных дефектов и физическая природа «аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных $\alpha$-частицами
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  844–848
10. CRITERIA OF OPTIMAL CLARIFICATION OF AN OPTIC-SYSTEM OF AIR-SIOX-POLYCRYSTALLINE-SI-MONOCRYSTALLINE-SI IN THE SPECTRAL REGION 550-950-NM
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:4 (1987),  823–826
11. Contribution of Silicon Recombination Characteristics into Resolution of Detectors of Short-Path Particles
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1883–1887
12. Charge Transfer in the Structures of Silicon Detectors with the Build-in Field
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1394–1399
13. Study of the effect of oxides and polycrystal layers on the carrier life-span in monocrystal silicon
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:17 (1987),  1025–1029
14. Potentialities of application of silicon Schottky barriers and planar detectors in spectrometry of low-energy protons
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  565–569
15. RESOLUTION OF THE ALPHA-SPECTRUM SUPER-THIN STRUCTURE BY SILICONE PLANAR DETECTORS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:10 (1986),  1987–1989
16. High-resolution performance of silicon detectors of short-range particles
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:20 (1986),  1254–1258
17. INVESTIGATION OF THE THIN SIOX(O-GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO-X-GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO-2) FILMS ON SPECTRAL CHARACTERISTICS OF SILICON P-N TRANSITIONS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2191–2195
18. FORMATION OF HETEROGENEOUS COMPENSATION DOMAIN IN THE PROCESS OF OBTAINING PLANAR SILICON P-N-JUNCTIONS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:10 (1985),  2064–2066
19. Photoelectric characteristics of the $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-polycrystal $Si-Ge$ system
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:11 (1985),  675–679
20. Spectral characteristics of selective photo-detectors for the visible and ultraviolet-spectrum area
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:6 (1985),  354–358
21. MULTIFUNCTIONAL PHOTORECEIVER-MULTISCAN
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:10 (1983),  2015–2024
22. Correction
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2232
23. Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1648–1651