|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 120:5 (2024), 367–373
-
Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020), 35–37
-
Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019), 1604–1608
-
Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019), 1448–1452
-
SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)
UFN, 189:8 (2019), 803–848
-
Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017), 1243–1248
-
Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017), 1125–1130
-
On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017), 830–834
-
Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:2 (2017), 234–239
-
Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016), 668–673
-
High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016), 408–414
-
Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs,
подвергнутого облучению ионами высокой энергии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992), 543–547
-
О разнице между статической и динамической силами трения
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:5 (1992), 42–46
-
Природа объемного шума $1/f$ в GaAs и Si (обзор)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:12 (1991), 2065–2104
-
Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно
совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 355–358
-
Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом
деструктивному сжатию
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991), 164–167
-
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1807–1815
-
Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи
с проблемой шума $1/f$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990), 1531–1538
-
Кинетика спада долговременно́й фотопроводимости в GaAs и модель
объемного шума $1/f$ в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990), 836–843
-
Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности
подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990), 813–820
-
Шум $1/f$ и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1828–1833
-
Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1187–1192
-
Модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 283–291
-
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1574–1579
-
Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых
тиристорных структур
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1134–1137
-
Подавление светом шума $1/f$ в кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1120–1122
-
Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1049–1052
-
TEMPERATURE EFFECT ON LIGHT RETUNING OF 1/F NOISE IN GAAS
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:21 (1988), 1978–1982
-
VISUALIZATION OF THE SUBNANOSECOND SWITCHING OF ARSENIDE-GALLIUM-DIODE
STRUCTURES
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:16 (1988), 1526–1530
-
NEGATIVE TEMPERATURE-COEFFICIENT OF BREAKDOWN PRESSURE IN
SILICON-CARBIDE R-P TRANSITIONS
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:6 (1988), 545–547
-
Propagation of Switched State in Gallium-Arsenide Thyristors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987), 129–133
-
Current stringing in silicon-carbide R-P-transitions under the breakdown
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:12 (1987), 741–743
-
Light quenching of the $1/f$ noise in gallium-arsenide
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:11 (1987), 645–648
-
COMPARATIVE INVESTIGATION OF THE SWITCHING ON PROCESSES OF
GALLIUM-ARSENIDE AND SILICON THYRISTORS
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:7 (1986), 1343–1347
-
$1/f$ Noise of Hot Electrons in GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985), 1651–1656
-
High-Frequency Conduction of Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb in High Electric Fields
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 131–133
-
DYNAMIC CURRENT LOCALIZATION IN THE TRANSITION SWITCHING ON THE PROCESS
OF THYRISTORS
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:1 (1984), 124–130
-
Особенности неустойчивости
в условиях отрицательной дифференциальной
проводимости при наличии двух сортов носителей
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1577–1582
-
SWITCHED ON STATE PROPAGATION IN GAAS THYRISTORS OF THE LARGE AREA
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:23 (1984), 1430–1433
-
HIGH-POWER, HIGH-SPEED COMMUTATORS BASED ON GAAS DINISTOR STRUCTURES
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:7 (1984), 385–388
-
MAIN PARAMETERS OF SWITCHING-ON OF ARSENIDE-GALLIUM THYRISTORS
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:3 (1983), 573–575
-
Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1830–1834
-
Исследование процесса переключения обратно смещенного
$p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на
ЭВМ
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1812–1816
-
Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:9 (1983), 546–549
-
Transverse-discharge copper vapor laser utilizing an optically controlled semiconductor switch
Kvantovaya Elektronika, 10:1 (1983), 186–189
-
Multichannel semiconductor nanosecond switch for excitation of copper vapor by a transverse discharge
Kvantovaya Elektronika, 8:1 (1981), 191–193
-
Первый международный симпозиум по исследованию перспективных
полупроводниковых приборов (ISDRS-91)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992), 1153–1155
© , 2024