RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Mil'vidskii Mikhail Grigor'evich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  965–969
  2. Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  475–478
  3. CHARACTERISTICS OF PHONON-SPECTRA OF INXGA1-XAS EPITAXIAL LAYERS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:7 (1991),  21–24
  4. Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1367–1370
  5. Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990),  800–804
  6. FORMATION OF DISLOCATION-INDUCED HETEROGENEITY OF COMPOSITION OF GALLIUM-ARSENIDE CRYSTALS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989),  106–110
  7. Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1177–1181
  8. Об одной особенности донора — серы в GaP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1070–1075
  9. Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  456–460
  10. Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2035–2038
  11. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1792–1795
  12. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1004–1010
  13. Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  307–312
  14. LIQUID EPITAXY, CONTROLLED BY TEMPERATURE AND CURRENT CHANGES (LECTCC)

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:2 (1986),  353–360
  15. Broadening of the Bands of Hydrogen-Like Center Absorption in Silicon with Isovalent Impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1647–1653
  16. Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1588–1593
  17. On the Role of Dislocations in Formation of the Properties of Semi-Insulating GaAs Single Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  634–640
  18. Deformation Charges of Isovalent Impurities in Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  270–274
  19. On the Behaviour of Oxygen in Silicon Doped by Isovalent Impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1982–1985
  20. Determination of Recombination Activity and Depth of Occurence of Point Defects in Semiconductor Crystals by the Method of Induced Current in a Scanning Electron Microscope

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  38–43
  21. Optical properties of $\mathrm{Ga}_{x}\mathrm{In}_{1-x}\mathrm{As}_{y}\mathrm{Sb}_{1-y}$

    Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984),  145–150
  22. LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS BASED ON THICK GAINPAS/INP (1.2-1.6 MKM) HETEROSTRUCTURES

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:3 (1984),  551–557
  23. EFFECT OF ALXGA1-XAS-GAAS HETEROSTRUCTURE GROWTH-CONDITIONS IN THE MOC-ASH3-H2 SYSTEM ON PARAMETERS OF SOLAR ELEMENTS (SE)

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:1 (1984),  187–189
  24. Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1573–1576
  25. Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1309–1311
  26. Complex Formation and Thermal Stability of Electrophysical Properties of GaAs Semi-Insulating Single Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  465–470
  27. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2022–2024
  28. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  108–114
  29. Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  93–96
  30. Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range

    Kvantovaya Elektronika, 7:9 (1980),  1990–1992
  31. High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes

    Kvantovaya Elektronika, 5:11 (1978),  2488–2489
  32. Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution

    Kvantovaya Elektronika, 5:3 (1978),  703–704
  33. Efficient room-temperature stimulated emission from a Gaxln1–xAsySb1–y semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ

    Kvantovaya Elektronika, 5:1 (1978),  126–128
  34. Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)

    Kvantovaya Elektronika, 3:7 (1976),  1381–1393
  35. Luminescence and stimulated emission from Gaxln1–xAsySb1–y

    Kvantovaya Elektronika, 3:4 (1976),  932–934
  36. New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range

    Kvantovaya Elektronika, 3:2 (1976),  465–466
  37. The formation of dislocations in perfect single crystals under the effect of stresses

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 207:5 (1972),  1109–1111
  38. The plastic deformation anisotropy of single $\mathrm{GaAs}$ crystals, as influenced by alloying additives

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 184:5 (1969),  1084–1087
  39. Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963),  1119–1122

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024