|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Оптическая и тепловая стимуляция примесной фотопроводимости
при оптическом возбуждении примесных атомов в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 1941–1945
-
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации
примесных атомов в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 466–470
-
Correction
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 385
-
Kinetics of Photoconduction of Zinc-Doped
Germanium at Small Times of
Photoresponse
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985), 1736–1740
-
Temperature Dependence of Photoconduction Amplitude-Frequency Characteristics in a Semiconductor
with Two-Level Impurity (Ge : Hg)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1008–1011
-
Influence of Electron-Phonon Interaction on Line Widths in the Spectrum of Excited States of Zn$^{-}$ Ion in Germanium
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985), 512–516
-
Cross-Section for Hole Trapping by Hg$^{-}$ Ions in Germanium
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 319–323
-
Determination of Compensation Degree in an Extrinsic Semiconductor Using Optical Absorption Measurements
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 285–288
-
Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка
в германии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 740–742
-
Зависимость времени жизни неравновесных дырок в $p$-германии
от концентации центров рекомбинации — ионов Zn$^{-}$ и температуры
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 674–678
-
О длине экранирования в примесном полупроводнике
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 431–436
-
Phase method for the determination of the lifetime of nonequilibrium carriers in photoconductors
Kvantovaya Elektronika, 6:10 (1979), 2209–2214
-
Tunable Pb1–ySnySe–PbSe heterojunction laser
Kvantovaya Elektronika, 3:11 (1976), 2513–2515
-
Modulation method for measuring heterodyne characteristics of photodetectors
Kvantovaya Elektronika, 3:9 (1976), 1909–1913
© , 2024