Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1662–1668
-
Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 447–453
-
Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра
УФН, 185:10 (2015), 1031–1042
-
Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором
Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292
-
Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187
-
Рамановский $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанс в ненапряженных квантовых точках германия
Письма в ЖЭТФ, 73:6 (2001), 336–340
© , 2024