RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Акопян Ашот Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Контактная эксклюзия в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  389–392
  2. Влияние цилиндрической геометрии образца на эффект контактной эксклюзии

    Письма в ЖТФ, 18:20 (1992),  1–4
  3. Магнитоконцентрационный эффект в неоднородно легированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1875–1878
  4. Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1424–1426
  5. Теплофизические характеристики огнеупорного бетона на основе диоксида циркония

    ТВТ, 28:4 (1990),  811–813
  6. Термическое расширение керамики системы $\mathrm{ZrO}_2$–$\mathrm{In}_2\mathrm{O}_3$

    ТВТ, 26:3 (1988),  504–508
  7. Экспериментальное исследование воздействия одномерного стационарного температурного поля на термопрочность элемента футеровки канала МГДГ из магнезиальной керамики

    ТВТ, 26:1 (1988),  182–184
  8. Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Стационарные вольтамперные характеристики

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1783–1788
  9. Электропроводность и теплопроводность керамики на основе оксидов циркония и индия

    ТВТ, 25:2 (1987),  405–408
  10. Биполярный дрейф и термодрейф в полупроводниковых образцах с одним теплоизолирующим контактом. Случай констант дрейфа разного знака

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  892–896
  11. Биполярный дрейф и термодрейф в полупроводниковых образцах с одним теплоизолирующим контактом. Случай констант дрейфа одного знака

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2177–2182
  12. Биполярный термодрейф в полупроводниках с омическими контактами

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1597–1602
  13. Кинетика установления магнитоконцентрационного эффекта в несобственных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  54–61

© МИАН, 2024