Сошников Илья Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
2. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
3. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
4. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
5. Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  16–19
6. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
7. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
8. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
9. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
10. Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS
    
    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  608–614
11. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
12. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
13. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
14. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
15. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
16. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
17. The features of GaAs nanowire SEM images
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
18. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
19. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
20. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
21. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
22. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
23. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
24. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
25. Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  49–55
26. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216