Пихтин Никита Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
2. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями
   
   Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
3. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
4. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
5. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
6. Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  17–24
7. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
8. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
9. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5
10. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
    
    Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
11. Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  889–894
12. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
    
    Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
13. Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели
    
    Квантовая электроника, 52:4 (2022),  343–350
14. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
    
    Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342
15. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178
16. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
    
    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
17. Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1229–1235
18. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
19. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
20. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
21. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
22. Изотипные гетероструктуры $n$-AlGaAs/$n$-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  427–433
23. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
24. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
25. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
26. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
27. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
    
    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
28. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
    
    Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
29. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
30. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
31. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
32. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
    
    Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
33. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
34. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
35. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
36. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне
    
    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
37. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
38. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
39. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
40. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
41. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
42. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
43. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
44. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
45. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
46. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
47. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
48. Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  16–19
49. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
50. Тройной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
51. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
52. Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки
    
    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825
53. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726
54. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
55. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152
56. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
57. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой
    
    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
58. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592
59. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
60. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
61. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
62. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
63. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
64. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
65. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
66. Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  38–41
67. Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174
68. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
69. Двойной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
70. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
71. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
72. Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492
73. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
74. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
75. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
76. Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498
77. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
78. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
79. Численное моделирование токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров, выполненных на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения
    
    Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  46–52
80. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
81. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
    
    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
82. Лазерный модуль для фотодинамической терапии и робот-ассистированной микрохирургии в стоматологии
    
    Письма в ЖТФ, 43:11 (2017),  12–19
83. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
84. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
    
    Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
85. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
86. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
87. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
88. Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838
89. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
90. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
91. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
92. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
93. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
94. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
95. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
96. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911


97. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
    
    УФН, 194:1 (2024),  98–105