Гершензон Евгений Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние магнитного поля на неомическую проводимость по примесям некомпенсированного кристаллического кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 73:1 (2001),  50–53
2. Механизм преобразования частоты в $n$-InSb-смесителе
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1986–1998
3. Пикосекундный отклик на излучение оптического диапазона в тонких пленках YBaCuO
   
   Письма в ЖТФ, 17:22 (1991),  6–10
4. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2145–2150
5. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1881–1883
6. Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких температурах (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  3–24
7. О предельных характеристиках быстродействующих сверхпроводниковых болометров
   
   ЖТФ, 59:2 (1989),  111–120
8. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1356–1361
9. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  338–345
10. Перспективы применения высокотемпературных сверхпроводников для создания электронных болометров
    
    Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  88–93
11. Быстродействующий сверхпроводниковый электронный болометр
    
    Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  88–92
12. Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  540–543
13. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  99–103
14. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1696–1698
15. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  421–425
16. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1896–1898
17. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1873–1876
18. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1430–1437
19. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  499–501
20. Примесные H$^-$-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках
    
    УФН, 132:2 (1980),  353–378
21. Спектральные и радиоспектроскопические исследования полупроводников на субмиллиметровых волнах
    
    УФН, 122:1 (1977),  164–174


22. Новая книга по теории твердого тела
    
    УФН, 115:2 (1975),  339–340