Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния
Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 536–541
-
Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в
полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и
метода Дила-Гроува
Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 92–111
-
Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации
легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках
Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 12–26
-
Биэкситон в сильном магнитном поле
Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1063–1067
-
Уравнение состояния холодного вещества в сверхсильном магнитном поле
ТВТ, 19:1 (1981), 206–208
© , 2024