|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
Квантовая электроника, 53:5 (2023), 374–378
-
Уравнение состояния оксида железа при давлении $\le 1$ ТПа
ТВТ, 61:2 (2023), 318–320
-
Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 86–95
-
Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 34–40
-
Измерения коэффициента пропускания кремния под воздействием излучения интенсивных ударных волн в ксеноне
ТВТ, 59:6 (2021), 956–959
-
Излучение кремния при давлении ударного сжатия $68$ ГПа и в процессе разгрузки в вакуум
ТВТ, 59:6 (2021), 865–868
-
Ударная сжимаемость монокристаллического кремния в диапазоне давлений $280$–$510$ ГПа
ТВТ, 59:6 (2021), 860–864
-
Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 414–419
-
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 408–413
-
Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583
-
Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174
-
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890
-
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1131–1137
-
Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132
-
Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606
-
Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
Квантовая электроника, 45:7 (2015), 597–600
-
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
Квантовая электроника, 44:11 (2014), 993–996
© , 2024