Шамахов Виктор Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
2. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5
3. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
4. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
5. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
6. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
7. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
8. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
9. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
10. Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174
11. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
12. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
13. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
14. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
15. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
16. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996