Шашкин Илья Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
2. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
3. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
4. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
5. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
   
   Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
6. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
7. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
8. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
9. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
10. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
11. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
12. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726
13. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152
14. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1074–1079
15. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
16. Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498
17. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
18. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
19. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
20. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
21. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
22. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
23. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996