Ильинский Александр Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эллипсометрия нанокристаллических пленок VO$_2$, VO$_2$ : Mg, VO$_2$ : Ge
   
   Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2210–2216
2. Импедансметрия нанокристаллитов Ag$_{2}$S, внедренных в нанопористые стекла
   
   Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2185–2191
3. Термоимпендансметрия нанокристаллитов V$_{2}$O$_{5}$, локализованных в каналах нанопористого стекла
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1429–1436
4. Механизм влияния водорода на фазовый переход в пленках V$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:5 (2021),  666–673
5. Активация нейромедиаторов мозга животных интерференционными транскраниальными токами
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2067–2079
6. Фазовый переход полупроводник–суперионик в пленках сульфида серебра
   
   Физика твердого тела, 62:12 (2020),  2138–2146
7. Корреляционная природа фазового перехода изолятор–металл в пленках V$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1284–1292
8. Диэлектрическая спектроскопия и механизм фазового перехода полупроводник-металл в легированных пленках VO$_{2}$:Ge и VO$_{2}$:Mg
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  331–340
9. Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  153–159
10. Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1885–1890
11. Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  44–46
12. Механизм оптической перезарядки магнитных центров в BSO:Fe
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1785–1792
13. Комплексная природа термических фазовых превращений в растворах альбумина
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  934–942
14. Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  877–882
15. Влияние излучения крайне высоких частот на выработку серотонина в живом организме
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  27–33
16. Магнитооптические эффекты в нелегированных кристаллах силиката висмута
    
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2013, № 4-1(182),  9–20
17. Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  710–718
18. О поздней стадии экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3427–3430
19. Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3014–3023
20. Эволюция электрического поля в силикате висмута при локальном фотовозбуждении
    
    ЖТФ, 60:11 (1990),  94–103
21. Стационарное распределение электрического поля в кристаллах силленитов, одновременно облучаемых электронным и световым пучками
    
    ЖТФ, 60:6 (1990),  84–91
22. Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  212–220
23. Релаксация фототока и электрического поля в МДП структуре на основе силиката висмута
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1780–1787
24. Динамика экранирования электрического поля в фоторефрактивных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1330–1335
25. Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3438–3445
26. Роль глубоких центров захвата в фотоэлектрических свойствах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  926–929
27. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах
    
    Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2843–2851
28. Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  743–745
29. Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3042–3048
30. Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2755–2758
31. Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2163–2168