|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследователи в сфере искусственного интеллекта: анализ на основе диссертационных работ
Искусственный интеллект и принятие решений, 2023, № 3, 109–122
-
Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП
структур при облучении
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 385–389
-
Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП
структур при облучении
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 969–977
-
Спектроскопия локализованных состояний в запрещенной зоне нитрида
кремния методом двойного фотовозбуждения
ЖТФ, 59:4 (1989), 169–171
-
Генерация положительного заряда в окисле МДП структур
на кремнии при участии горячих электронов
ЖТФ, 57:10 (1987), 1990–1992
-
Экранировка флуктуаций поверхностного потенциала в МДП структурах
Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2065–2071
-
Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур
в режиме постоянного заряда
Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1042–1048
-
Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 413–415
-
Влияние крупномасштабных неоднородностей на релаксацию неравновесной
емкости МДП структур
Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2127–2130
-
Окислы, осажденные из металлоорганических соединений
для МДП структур
на полупроводниках группы A$^{3}$B$^{5}$
ЖТФ, 54:5 (1984), 965–966
-
Пространственный масштаб статистических флуктуаций потенциала в МДП
структурах
Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1367–1372
-
Электрофизические свойства термического окисла тантала в МДП
структурах
Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1791–1794
© , 2024