RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Миньков Григорий Максович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Вклад осцилляций уровня Ферми в шубниковские и магнито-межподзонные осцилляции в одиночных квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  359–366
  2. Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору

    Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023),  912–918
  3. Особенности магнето-межподзонных осцилляций в квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019),  274–278
  4. Zeeman splitting of electron spectrum in HgTe quantum wells near the Dirac point

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  482
  5. Перколяция и электрон-электронное взаимодействие в решетке антиточек

    Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  501–506
  6. Зеемановское расщепление зоны проводимости квантовых ям HgTe с полуметаллическим спектром

    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  241–247
  7. Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний

    Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015),  522–526
  8. Пленка Лэнгмюра$-$Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2136–2138
  9. Одноосно деформированный $p$-HgMnTe с ${\varepsilon_{g}>0}$: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2190–2197
  10. Кинетические явления в одноосно деформированном $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с $\varepsilon_{g}>0$

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  796–803
  11. Влияние одноосной деформации на энергетическиц спектр и гальваномагнитные явления в бесщелевом $p$-HgMnTe

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  117–124
  12. Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном $p$-InSb

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1158–1162
  13. К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  992–997
  14. Энергия акцепторов и особенности перехода Мотта в $p$-InSb при однооcной деформации

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2006–2012
  15. Гальваномагнитные эффекты в бесщелевом Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при гидростатическом давлении

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  798–803
  16. Классическое низкотемпературное поведение кинетических коэффициентов в $p$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  472–476
  17. Влияние обменного взаимодействия на гальваномагнитные явления в сильно легированном $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1662–1666
  18. Влияние квантования спектра валентной зоны на магнитосопротивление $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1329–1332
  19. Об отрицательном магнитосопротивлении в сильно легированном компенсированном $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  141–144
  20. Особенности гальваномагнитных явлений и вымораживание на акцептор в магнитном поле в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  80–89
  21. Связанный магнитный полярон в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te

    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1857–1863
  22. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$ в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2943–2950
  23. Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1754–1757
  24. О возможности использования метода туннельной спектроскопии в магнитном поле для исследования зонной структуры PbTe

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2086–2088
  25. Акцепторная зона в $p$-HgCdTe

    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  278–279
  26. Двумерные поверхностные электроны в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с анодным окислом

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  459–463

© МИАН, 2024