RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Германенко Александр Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Вклад осцилляций уровня Ферми в шубниковские и магнито-межподзонные осцилляции в одиночных квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  359–366
  2. Supersymmetry and stable Dirac sea in carbon nanotubes

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1384
  3. Zeeman splitting of electron spectrum in HgTe quantum wells near the Dirac point

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  482
  4. Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний

    Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015),  522–526
  5. Пленка Лэнгмюра$-$Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2136–2138
  6. Определение констант деформационного потенциала в HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1762–1765
  7. Одноосно деформированный $p$-HgMnTe с ${\varepsilon_{g}>0}$: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2190–2197
  8. Кинетические явления в одноосно деформированном $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с $\varepsilon_{g}>0$

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  796–803
  9. Влияние одноосной деформации на энергетическиц спектр и гальваномагнитные явления в бесщелевом $p$-HgMnTe

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  117–124
  10. Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном $p$-InSb

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1158–1162
  11. К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  992–997
  12. Энергия акцепторов и особенности перехода Мотта в $p$-InSb при однооcной деформации

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2006–2012
  13. Влияние обменного взаимодействия на гальваномагнитные явления в сильно легированном $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1662–1666
  14. Влияние квантования спектра валентной зоны на магнитосопротивление $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1329–1332
  15. Об отрицательном магнитосопротивлении в сильно легированном компенсированном $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  141–144
  16. Особенности гальваномагнитных явлений и вымораживание на акцептор в магнитном поле в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  80–89
  17. Связанный магнитный полярон в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te

    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1857–1863
  18. Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1754–1757

© МИАН, 2024