RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Беляков В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
  2. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
  3. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
  4. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
  5. Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках

    Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239
  6. Первые эксперименты по высокочастотному нагреву плазмы на токамаке "Туман-3"

    Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  315–318


© МИАН, 2024