Фефелов А Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
2. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1158–1162
3. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
   
   Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
4. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1414–1420
5. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
6. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
7. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
8. Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках
   
   Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239