Эфрос Александр Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Dangling bond spins controlling recombination dynamics of excitons in colloidal nanocrystals and nanoplatelets
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  500
2. Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  493–503
3. Экситоны и биэкситоны в квантоворазмерных микрокристаллах полупроводников, диспергированных в диэлектрической стеклянной матрице
   
   Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3512–3521
4. Квантование дырки и край поглощения в сферических микрокристаллах полупроводников со сложной структурой валентной зоны
   
   Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1772–1779
5. Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с толстым спейсерным слоем
   
   Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1201–1207
6. Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
   
   Физика твердого тела, 32:4 (1990),  999–1006
7. Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  198–201
8. Фотолюминесценция квазинульмерных полупроводниковых структур
   
   Физика твердого тела, 31:8 (1989),  192–207
9. Квантово-размерный эффект Штарка в микрокристаллах полупроводников
   
   ЖТФ, 59:3 (1989),  202–204
10. Уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1708–1717
11. Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2124–2130
12. Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1416–1421
13. Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  628–633
14. Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  424–432
15. Квазидвумерное поведение диамагнитных экситонов в кристаллах GaSe
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3308–3311
16. Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1730–1739
17. Влияние случайного поля на энергию активации электронов в зону проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  922–926
18. Локализация взаимодействующей с электроном дырки в трехмерных микрокристаллах полупроводников
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  281–285
19. Низкотемпературная плотность состояний в бесщелевом полупроводнике в окрестности уровня Ферми
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2019–2022
20. Резонансное рассеяние и низкотемпературная подвижность электронов в бесщелевых растворах на основе HgTe
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1307–1316
21. Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  855–861
22. Структура примесной зоны в бесщелевых соединениях типа Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика твердого тела, 28:1 (1986),  208–217
23. Экситоны в структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1281–1287
24. Образование оптической щели в спектре уровней Ландау тяжелых дырок германия
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  369–373
25. Влияние упругих деформаций на взаимодействие электронов с флуктуациями состава в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1508–1510
26. Уширение линии диамагнитного экситона в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  106–113
27. Закон дисперсии экситона и биэкситона в алмазоподобных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2214–2219
28. Уровни энергии акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2094–2098
29. Дискретная структура диамагнитного экситона в осцилляциях фотомагнитного эффекта и фотопроводимости InSb в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  206–211
30. Расчет энергетических уровней Ландау тяжелых дырок в германии
    
    Письма в ЖТФ, 10:6 (1984),  321–325
31. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  353–358
32. Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  718–720
33. Современное состояние теории прыжковой электропроводности
    
    УФН, 141:4 (1983),  711–712
34. Локализация электронов в неупорядоченных системах (переход Андерсона)
    
    УФН, 126:1 (1978),  41–65
35. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред
    
    УФН, 117:3 (1975),  401–435
36. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках
    
    УФН, 111:3 (1973),  451–482


37. Владимир Иделевич Перель (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 156:3 (1988),  549–550