Вавилова Людмила Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
2. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
3. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
4. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
   
   Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
5. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт
   
   Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
6. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью
   
   Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
7. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
8. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165