|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1663–1667
-
Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526
-
Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515
-
Фотоотражение антимонида индия
Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313
-
Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39
-
Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода
Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002), 463–466
-
Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных
твердых растворах на основе InAs
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 545–547
-
Свойства маховского отражения при взаимодействии ударных волн с неподвижным клином
Физика горения и взрыва, 11:4 (1975), 596–608
© , 2024