Ильинская Наталья Дмитриевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
2. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
3. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
4. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
5. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
6. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
   
   Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
7. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
8. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
9. О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  207–211
10. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
11. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
12. Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16
13. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
14. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
15. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
16. Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1499–1502
17. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
18. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
19. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
20. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
21. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
22. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
23. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
24. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
25. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
26. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
27. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
28. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
29. Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  77–80
30. Диагностика гетерограниц InGaAsP/InP по оже-профилям косого шлифа, полученного химическим травлением
    
    ЖТФ, 60:10 (1990),  177–180
31. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb
    
    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
32. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
33. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
34. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
35. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
36. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
37. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия
    
    ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
38. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
39. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
40. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
41. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP-ДГС излучатели для ВОЛС с диаметром 200 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1286–1290
42. Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964
43. Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1408–1411