Усикова Анна Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
2. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
   
   ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
3. Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  947–952
4. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
5. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
6. Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1499–1502
7. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
8. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
9. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
10. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
11. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
12. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
13. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
14. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
15. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
16. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662