Щеглов Михаил Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
2. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
3. Электрическая поляризация в ErCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  501–509
4. Электрическая поляризация в YCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями магнитной и структурной природы
   
   Физика твердого тела, 61:1 (2019),  95–103
5. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
6. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
7. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
8. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  789–792
9. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
10. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
11. Замороженное суперпараэлектрическое состояние локальных полярных областей в GdMn$_{2}$O$_{5}$ и Gd$_{0.8}$Ce$_{0.2}$Mn$_{2}$O$_{5}$
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  531–542
12. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
13. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
14. Форма распределения интенсивности рентгеновской дифракции в обратном пространстве и ее связь с дислокационной структурой эпитаксиальных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  96–102
15. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
16. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
17. Room-temperature electric polarization induced by phase separation in multiferroic GdMn$_2$O$_5$
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:4 (2016),  274–279
18. Измерение рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального отражения в дифференциальном режиме
    
    ЖТФ, 57:7 (1987),  1436–1438