RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Лазаренко Александра Анатольевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
  2. Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  547–550
  3. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
  4. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов

    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
  5. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
  6. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19


© МИАН, 2024