|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080
-
Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 547–550
-
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280
-
Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102
-
Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667
-
Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19
© , 2024